等离子体增强化学气相沉积( PECVD)是利用辉光放电的物理作用来激活粒子的一种化学气相沉积( CVD)反应，是集等离子体辉光放电与CVD于一体的薄膜沉积技术。PECVD沉积氮化硅的过程温度仅需300～400℃，因此氮化硅不会出现因温度过高引起器件失效的问题。此外，PECVD法还可以通过改变沉积参数的方法制备不同应力状态的薄膜以满足不同的需要。

  采用PECVD技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；其次，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同时发生各反应物之间的次级反应；最后，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。