1.工件偏压低

由于增设了提高离化率的装置，提高了放电电流密度，偏压降低为 0.5~1kV.

减少了高能离子的过度轰击造成的反溅射和对工件表面的损伤效应。

2.等离子体密度增加

增加了各种促进碰撞电离的措施，金属离化率由 3%提高到 15%以上。镀膜室内的钦离子和高能中性原子，氮离子、高能活性原子和活性基团密度增大，有利于反应生成化合物。以上各种增强型辉光放电离子镀膜技术已经可以在较高等离子体密度中进行反应沉积获得 TN 硬质膜层，但由于属于辉光放电类型，放电电流密度不够高(仍为 mA/cm²级)，和的总体等离子体密度不够高，反应沉积化合物膜层的工艺难度较大。

3.点状蒸发源镀膜范围小

各种增强型离子镀膜技术都是采用电子束蒸发源，甘塌作为点状蒸发源，仅限于甘塌上方的一定区间进行反应沉积，所以生产率低，工艺难度大，难以产业化。

4.电子枪高压操作

电子枪电压为6~30kV，工件偏压为 0.5~3kV，属于高压操作，有一定的安全隐患。

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