晶硅电池技术发展的方向包括 PERT技术与 Topcon 技术，这两种技术被视为传统扩散法电池技术的延伸，它们共同特点是电池背面都有钝化层，而且都采用一层掺杂多晶硅作为背场。钝化层较多采用高温氧化层，掺杂多晶硅层则采用LPCVD和PECVD等方式。管式PECVD和平板式PECVD已在PERC电池的大规模量产中使用。

    管式PECVD产能大，一般采用几十千赫的低频电源，离子轰击和绕镀问题可能影响钝化层的质量。平板式 PECVD没有绕镀问题，在镀膜性能上有较大优势，可用于掺杂 Si、SiO.、SiC薄膜的沉积。缺点在于所镀薄膜中含有大量氢，易造成膜层起泡，在镀膜厚度上受限。LPCVD镀膜技术采用管式炉镀膜时，具有较大产能，可以沉积较厚的多晶硅薄膜，但也会有绕镀发生，在 LPCVD 工艺后还须将绕镀的膜层去除且不伤及底层。量产的 Topcon 电池已达到23%的平均转换效率。