上篇文章我们说到了磁控溅射镀膜的特点，而本文将会继续讲解磁控溅射镀膜的特点。

    (4)基片温度低。磁控溅射的溅射率高，是因为在阴极靶的磁场作用区域以内，即靶放电跑道上的局部小范围内的电子浓度高，而在磁作用区域以外特别是远离磁场的基片表面附近，电子浓度就因发散而低得多，甚至可能比二极溅射还要低(因为二者的工作气体压力相差一个数量级)。因此，在磁控溅射条件下，轰击基片表面的电子浓度要远低于普通二级溅射中的电子浓度，而由于入射基片的电子数量的减少，从而避免了基片温度的过度升高。此外，在磁控溅射方式中，磁控溅射装置的阳极可以设在阴极附近四周，基片架也可以不接地，处于悬浮电位，这样电子可不经过接地的基片架，而通过阳极流走，从而使得轰击被镀基片的高能电子减少，减少了由电子入射造成的基片热量增加，大大地减弱次电子轰击基片导致的发热。

    (5)靶的不均匀刻蚀。在传统的磁控溅射靶中，采用的是不均匀磁场，因此会使等离子体产生局部收聚效应，会使靶上局部位置的溅射刻蚀速率极大，其结果是靶上会产生显著的不均匀刻蚀。靶材的利用率一般30%左右。为提高靶材的利用率，可以采取各种改进措施，如改善靶磁场的形状及分布，使磁铁在靶阴极内部移动

    (6)磁性材料靶溅射困难。如果溅射靶是由高磁导率的材料制成，磁力线会直接通过等等。靶的内部发生磁短路现象，从而使磁控放电难于进行。为了产生空间磁场，人们进行了各种研究，例如，使靶材内部的磁场达到饱和，在靶上留许多缝隙促使其产生更多的漏磁使靶的温度升高，或使靶材的磁导率降低等。

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