在溅射镀膜工艺中，虽然可以采用化合物为靶材制备化合薄膜。但是，由于靶材被溅射后所生成的薄膜成分往往与靶材原来的成分有较大的偏离，故达不到原来所设计的要求。如果采用纯金属靶材，把所需要的活性气体 (如制备氧化物薄膜时通入氧气) 有意识地混合到工作 (放电)气体中去，使之与靶材进行化学反应，从而生成可以得到控制其组分与特性的薄膜。人们通常称这种方法为“反应溅射法”。

    如前所述，可以采用射频溅射，沉积介质薄膜和各种化合物薄膜。但是，为了制备“纯”的薄膜，必须先有“纯”的靶，高纯的氧化物、氮化物、碳化物或其他化合物的粉末。用这些粉末加工成一定形状的靶，需要添加成型或烧结必需的添加剂，这就导致靶和所成膜的纯度大大降低。但在反应溅射中，由于可以采用高纯的金属和高纯的气体，因此，为制备高纯的薄膜提供了方便的条件。反应溅射近年来日益受到重视，并成为淀积各种功能化合物薄膜的一种主要方法。它已经在制造I-V族、I-族和IV-V族化合物、难熔半导体以及各种氧化物等方面得到了广泛的应用，如采用多晶 Si和 CH./Ar 混合气体射淀 SiC 薄膜、用Ti靶和 N/Ar制备 TiN 硬质薄膜、用 Ta和 O/Ar 制备 TaO;介质薄膜、用 Fe和O,/Ar制备 -FezO;记录薄膜、用A1和 N/Ar 制备 AIN 压电薄膜、用 AI和 CO/Ar制备 A1-C-O 选择性吸收薄膜以及用 Y-Ba-Cu 和 O/Ar 制备 YBaCuO-超导薄膜等等。

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